硅基III-V族化合物半导体可定制外延片

• 基于Si衬底的高晶体质量III-V族外延材料
• 3，4英寸
• 低微错密度 （TDD < 2 * 10⁶ cm^-2 ）
• 低阈值
• 高功率
• 高工作温度

基于本公司长期技术积累，我们实现在硅基平台上外延生长高晶格失配的高质量III-V族外延材料。同时提供定制生长硅基高质量InAs量子点激光器的技术服务，可用在CWDM通讯系统中。